TESCAN MAIA3 model 2016
為超高分辨新開發的電子光學系統
MAIA3 model 2016產品是***款具有超高表面靈敏度的高分辨掃描電子顯微鏡，在不同加速電壓下均有著出色的成像能力。MAIA3 model 2016在低電壓下也有極好的性能，尤其對電子束敏感的半導體器件樣品以及納米材料等都具有優異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合研究不導電試樣如原始狀態的生物樣品。
主要特點：
TriglavTM――新開發的超高分辨電子光學鏡筒并配備TriLensTM物鏡及的探測系統
超高分辨率物鏡（60度浸沒式物鏡），全新的用于高分辨率分析工作的無漏磁分析物鏡，重新設計用于超大視場觀察的中間鏡。
獨特的電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結合，獲得了卓越的成像性能
傳統的TESCAN大視野光路設計提供各種工作和顯示模式
全新的EquiPower?技術進***步提高電子束的穩定性
新的肖特基場發射電子槍能使電子束流高達400nA并能實現電子束能量的快速改變
通過擴展樣品室和專用支架能達到12”晶圓的SEM觀察
的TriBETM技術具有三個BSE探測器，可以選擇不同角度的信號進行采集。位于鏡筒內部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測器，用于檢測中等角度及軸向的高角背散射電子，而樣品室的BSE探測器用于探測大角度范圍的背散射電子。并且這三個探測器能探測到低于200eV的低能背散射信號，綜合在***起，他們可以提供各種不同襯度的圖像
的TriSETM技術具有三個SE探測器，對所有工作模式下采集二次電子信號都進行了優化。位于鏡筒內部的In-Beam SE探測器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測器能提供*佳的形貌襯度
電子束減速技術(BDT)能在低至50eV的低電壓下，也仍具有出色的分辨率（選配）
的電子束實時追蹤技術可對電子束實現實時優化
擴展的低真空模式樣品室氣壓能達到500Pa，可用于不導電樣品的成像
超高分辨率 0.7@15keV，1.0nm@1keV
浸沒式物鏡系統和無交叉電子束模式結合在***起，可在低能量下實現超高分辨成像。浸沒式物鏡能在樣品周圍產生強磁場，顯著降低了像差。而無交叉電子束模式則降低了Boersch效應，對電子束進行進***步的優化，*終達到1.0nm @1keV的超高分辨率。
低電壓和超低電壓成像
電子束減速技術(BDT)包括了電子束減速模式（BDM），以及在這個模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號的高質量的透鏡內探頭。在電子束減速模式下，通過加在樣品臺上的負偏壓使得電子束在作用到樣品表面前降低能量。的著陸電壓可以降低到50eV(在手動控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變，增強了電子鏡筒的性能，因而在低電壓下可以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀察不導電樣品成像時出現的放電效應，也有利于對那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的觀察。在這個模式下，可以達到對于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。
應用
MAIA3 model 2016非常適合非導電樣品和電子束敏感樣品的成像，如各種原始狀態的生物樣品。MAIA3 model 2016能獲得高靈敏的表面形貌，其出色的低電壓性能和高分辨成像是各個科學技術領域*佳的SEM系統選擇。
材料科學
MAIA3 model 2016在低電壓下有著很好的分辨率，對納米材料的表征有著極大的優勢。尤其適合各種敏感材料和不導電材料（如陶瓷，聚合物，玻璃，纖維等）。
半導體，光電和太陽能電池
MAIA3 model 2016能被高效地應用于半導體工業的失效分析中（集成電路，半導體超薄切片檢測，太陽能電池，納米傳感器等）
光刻
擁有超高分辨率的MAIA3 model 2016在電子束刻蝕領域也是個強大的工具。而且MAIA3 model 2016非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。
生命科學
低電壓下擁有超高分辨率的MAIA3 model 2016能不需要鍍導電膜進行樣品在原始狀態下的觀察。
滬公網安備31011502016460號
