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SENTECH SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統
 

商品描述：

感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置ICP等離子源，動態溫控

Low damage for nano structuring 納米結構低損傷刻蝕 
由于等離子的能量分布低，從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕。 
Simple high rate etching 簡單高速率刻蝕 
MEMS制造工藝中，Si材料光滑側壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現。 

Inhouse ICP plasma source 內置ICP等離子源 
平板三螺旋天線（PTSA）等離子源是SENTECH獨有的高端等離子工藝系統。PTSA能產生高密度低能量分布的等離子體。在多種材料刻蝕工藝中都能實現高效率耦合及穩定起輝 

Dynamic temperature control 動態溫控 
襯底溫度設定和工藝過程中的穩定性是影響刻蝕工藝質量的重要因素。ICP襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。 

SI500代表著研發和生產領域ICP工藝的水平。它具有 基于動態溫控背電極、平板三螺旋天線等離子源和全自動控制的真空系統，SENTECH控制軟件應用遠程控制總線技術的以及友好的用戶界面。SI500可以進行200mm的晶圓片刻蝕。單片真空裝片裝置保證了工藝穩定性，同時保證工藝可以靈活切換。 
SI500刻蝕機可以實現多種材料的刻蝕，包括III-V族化合物半導體，電介質，石英，玻璃，硅、硅化物和金屬。 
SENTECH面向高靈活性和高產能的刻蝕和沉積系統提供各種***別的自動化裝置，從預真空系統到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。 

型號：SI500 
ICP plasma etcher 
With vacuum loadlock 
For up to 200 mm wafers 
Substrate temperature from -20 °C to 300 °C 

型號：SI500C 
Cryogenic ICP plasma etcher 
With transfer chamber ａnd vacuum loadlock 
Substrate temperature from -150 °C to 400 °C 

型號：SI500-RIE 
RIE plasma etcher 
Smart solution for He backside cooled etching 
Capacitive coupled plasma source, 
upgradable to ICP plasma source PTSA 200 

型號：SI500-300 
ICP plasma etcher 
With vacuum loadlock 
For 300 mm wafers